1 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 ulapproved(e83335) ihm-bmodul ihm-bmodule vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 1700v i c nom = 1200a / i crm = 2400a typischeanwendungen typicalapplications ? ? hochleistungsumrichter highpowerconverters ? ? motorantriebe motordrives elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? erweitertesperrschichttemperaturt vjop extendedoperationtemperaturet vjop ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? niedrigesv cesat lowv cesat ? ? t vjop =150c t vjop =150c mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? 4kvac1minisolationsfestigkeit 4kvac1mininsulation ? ? geh?usemitcti>400 packagewithcti>400 ? ? gro?eluft-undkriechstrecken highcreepageandclearancedistances ? ? hoheleistungsdichte highpowerdensity ? ? ihmbgeh?use ihmbhousing ? ? kupferbodenplatte copperbaseplate modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
2 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1700 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c i c nom 1200 a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 2400 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 7,80 kw gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 1200 a, v ge = 15 v i c = 1200 a, v ge = 15 v i c = 1200 a, v ge = 15 v v ce sat 1,95 2,35 2,45 2,30 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 48,0 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 12,5 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 1,6 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 97,0 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 3,15 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1700 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 5,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 1200 a, v ce = 900 v v ge = 15 v r gon = 0,68 w t d on 0,68 0,79 0,81 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 1200 a, v ce = 900 v v ge = 15 v r gon = 0,68 w t r 0,14 0,145 0,145 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 1200 a, v ce = 900 v v ge = 15 v r goff = 1,0 w t d off 1,10 1,20 1,25 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 1200 a, v ce = 900 v v ge = 15 v r goff = 1,0 w t f 0,18 0,43 0,51 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 1200 a, v ce = 900 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, di/dt = 9000 a/s (t vj = 150c) r gon = 0,68 w e on 280 370 400 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 1200 a, v ce = 900 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, du/dt = 2950 v/s (t vj = 150c) r goff = 1,0 w e off 240 380 420 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 1000 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 5500 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 19,0 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 10,0 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
3 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1700 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 1200 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 2400 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 235 225 ka2s ka2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 1200 a, v ge = 0 v i f = 1200 a, v ge = 0 v i f = 1200 a, v ge = 0 v v f 1,80 1,90 1,95 2,20 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 1200 a, - di f /dt = 9000 a/s (t vj =150c) v r = 900 v v ge = -15 v i rm 1350 1600 1650 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 1200 a, - di f /dt = 9000 a/s (t vj =150c) v r = 900 v v ge = -15 v q r 300 515 580 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 1200 a, - di f /dt = 9000 a/s (t vj =150c) v r = 900 v v ge = -15 v e rec 170 325 370 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 32,0 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 11,0 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
4 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 4,0 kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate cu innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 o 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 32,2 32,2 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 19,1 19,1 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 400 min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 9,0 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' 0,18 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 150 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem6-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm6-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 4,25 - 5,75 nm anzugsdrehmomentf.elektr.anschlsse terminalconnectiontorque schraubem4-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm4-mountingaccordingtovalidapplicationnote schraubem8-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm8-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 1,8 8,0 - - 2,1 10 nm nm gewicht weight g 1300 g
5 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 v ge = 20v v ge = 15v v ge = 12v v ge = 10v v ge = 9v v ge = 8v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =0.68 w ,r goff =1 w ,v ce =900v i c [a] e [mj] 0 400 800 1200 1600 2000 2400 0 200 400 600 800 1000 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c
6 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =1200a,v ce =900v r g [ w ] e [mj] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 0 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 z thjc : igbt i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 1,546 0,0016 2 15,31 0,0402 3 1,787 0,226 4 0,489 4,01 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =1 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
7 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =0.68 w ,v ce =900v i f [a] e [mj] 0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =1200a,v ce =900v r g [ w ] e [mj] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 z thjc : diode i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 2,158 0,0006 2 3,112 0,0045 3 24,78 0,039 4 2,047 0,513
8 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines
9 technischeinformation/technicalinformation FZ1200R17HE4 igbt-module igbt-modules preparedby:rh approvedby:pl dateofpublication:2013-11-11 revision:2.3 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved.
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